高能離子注入這是對現(xiàn)代化集成芯片的要求。

　　對于他來說,，目前只要能將鋁離子注入到碳化硅晶體中形成一個過渡層就足夠了,。

　　而且他用的技術(shù)也并非純正的離子注入,，正如之前有彈幕說的。

　　他使用的是離子摻雜,，而且是離子摻雜中的‘滲透摻雜法’,。

　　因為他手中并沒有離子注入機這種高科技東西，但這種晶體管又離不開N-漂移層,。

　　所以他只能想辦法進行替代,。

　　離子摻雜...